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| 项目名称 | 增强型氮化镓功率集成电路芯片MPW | 项目编号 | **** |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | **** 10:40:36 | 公告截止日期 | **** 11:00:00 |
| 采购单位 | 点击登录查看 | 付款方式 | 货到验收付款 |
| 联系人 | 联系电话 | ||
| 签约时间要求 | 到货时间要求 | ||
| 预算总价 | ￥45000.00 | ||
| 发票要求 | |||
| 含税要求 | |||
| 送货要求 | |||
| 安装要求 | |||
| 收货地址 | 点击登录查看磬苑校区材料科学大楼B507，B511 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 公告说明 | |||
采购清单1
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 增强型氮化镓功率集成电路 | 1 | 项 |
| 品牌 | |
|---|---|
| 型号 | |
| 预算单价 | ￥ 45000.00 |
| 技术参数及配置要求 | 一、使用主流 p 型栅 GaN-on-Si 工艺平台的 GaN IC 技术开发流片，要求工艺平台： 1. 具备两层互联金属工艺（M1+M2）； 2. 最小工艺线宽 0.5um； 3. 使用 p-GaN 栅增强型器件技术； 4. 可以单片集成 650V E-mode、12V E/D-mode、二维电子气电阻以及 MIM 电容等元器件。 二、可以获取代工厂提供的设计文档（design mannual），基于 process rule 设计测试图形。 三、此次项目交付内容包括： 1. 六英寸 GaN-on-Si 整晶圆 1 片； 2. 最终提交给工厂的 GDS 文档； 3. 版图设计文档。 四、其它晶圆参数指标： (1) 沟道方阻 <600ohm/sq，欧姆接触电阻 <0.6ohm*mm； (2) p-GaN 栅器件的阈值电压大于 1.1 V，栅极漏电小于 1uA/mm； (3) 650V E-mode 器件的击穿电压 > 1000V，器件 Ron*Wg < 18ohm*mm； (4) 具备 TLM, p-GaN CAP, Small device, Big device 等测试图形。 版图上传后60天内回片。 五、质疑与答复： 供应商如对该项目采购需求和技术参数有质疑，须按《点击登录查看非政府采购项目质疑和投诉管理暂行办法》有关规定和质疑函格式要求（请自行在点击登录查看采购与招标信息网站查询下载），在网上竞价截标前提交书面质疑函，书面质疑函扫描件发至邮箱：****@qq.com 。点击登录查看国有资产与实验室管理处（采购管理中心）联系电话：****，联系人：袁老师。逾期不予受理。 六、特别提醒： 1.供应商须符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件，如分公司投标须有总公司授权并将授权书上传竞价网，否则报价无效。 2.根据政府采购法律法规，单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一项目的采购活动。如有上述情况供应商参与同一竞价项目，学校将有权视情节轻重禁止其自处罚之日起1-3年内参加学校各类非政府采购活动并同期从点击登录查看供应商库中剔除，处罚期满后方可重新申请入库。 3.供应商如有以下任一行为，除承担违约责任外，学校有权视违规情节轻重禁止其自处罚之日起 1-3 年内参加学校各类非政府采购项目资格并同期从点击登录查看供应商库中剔除，处罚期满后方可重新申请入库。 （1）提供虚假材料谋取中标（成交）或虚假供货的； （2）中标（成交）后无正当理由拖延或弃标、无正当理由拖延或拒不签订采购合同的； （3）不按竞价要求或合同约定履约的； （4）其他违反法律法规和采购规定的。 |
| 参考链接 | |
| 售后服务 | 公司中标后送货上门，负责安装调试；本项目要求供应商具有本地化服务能力，本地化服务的能力是指具有以下条件之一：1）在本地注册成立的；2）在本地具有分支机构（含分公司、办事处、售后服务机构等），具有固定的办公场所及人员。备注：“本地”系指：合肥市; |
信息来源：http:****
